作为国家16个重大技术突破专项的重点支持对象，IGBT在电力电子行业中的地位堪比“CPU”。在中低电压范围内，已广泛应用于新能源汽车与白色家电领域；在1700V及以上的高电压领域应用于轨道交通、智能电网等重要行业。

　　随着新能源汽车、通信、汽车电子、航空航天以及军工等领域需求增长，全球IGBT芯片市场有望持续扩张。

　　IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

　　IGBT主要用于变频器逆变和其他逆变电路中，能够将直流电压转换为频率可调的交流电。结合了高输入阻抗和低导通电压的显著优势，在应用上与MOSFET存在部分重叠，但在其他领域则呈现出互补关系。

　　IGBT芯片至今已迭代出七代不同技术水平的产品，产品迭代主要围绕器件的纵向结构设计、栅极结构设计和加工工艺进行展开。

　　最新一代的IGBT7沟道密度更高，实现了在5kv/μs下的最佳开关性能，不过目前IGBT7还未实现大规模应用。

　　IGBT产业链包括上游的集成电路设计企业（Fabless公司）、中游晶圆代工制造以及下游的芯片封装与测试环节。Fabless企业直接对接终端用户的需求，晶圆代工企业与封装测试企业则专为Fabless企业提供配套服务。

　　根据Yole的数据分析，全球IGBT市场呈现出较高的集中度，其中，英飞凌、富士电机、三菱等欧美及日本厂商在IGBT市场的竞争中占据领先地位。

　　国内厂商整体主要聚焦于中低压领域的发展，不过以时代电气与斯达半导已成功将产品应用拓展至高压3300V及以上领域。

　　当前国内主流的芯片生产方式为Fabless代工模式，斯达半导、宏微科技等是这一模式的典型代表。

　　国内采用IDM集成设备制造模式的公司数量相对较少。公海赌赌船jcjc710根据公开资料显示，比亚迪半导体、士兰微、中车时代电气等企业在全球市场中仍占有一定的份额。

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